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NGB8202ANT4G
来自 AiPCBA

NGB8202ANT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
PDF文件:NGB8202ANT4G 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
NGB8202ANT4G 数据手册 (8 页)
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NGB8202ANT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
无卤素状态Halogen Free
功耗150000 mW
击穿电压(集电极-发射极)440 V
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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NGB8202ANT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NGB8202ANT4G 数据手册

NGB8202ANT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
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