类型 | 描述 |
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工作温度(Max) | 106 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
STD系列按入式标签由紫外线稳定的PVC制成. 该产品用于永久性电缆识别. STD标签为白色和黄色. 标签可以使用安装器, 侧面进线, 因此可以在电缆端接口安装上线. 这款标签能够适应多种线缆和电缆尺寸. 标签采用人字形切割, 以确保图例保持对齐. 该标签由零卤素聚甲醛 (POM)化合物制成, 适用于需要永久性标记的应用. 非常适合用于能源项目, 包括发电站, 炼油厂和海上平台.
● 具有流体抗性, 包括能源或炼油厂使用的流体
● 可牢固固定在电缆上
● 高弹性标记, 安装时不会损坏基板
● 电缆识别
TE Connectivity(泰科)
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TE Connectivity(泰科)
3 页 / 0.18 MByte
TE Connectivity(泰科)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40 V , 3.5 MI © , 80 A, DPAK , D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
TE Connectivity(泰科)
TE CONNECTIVITY / RAYCHEM STD12W-A 电缆标识,E型,尺寸 12 A
ST Microelectronics(意法半导体)
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