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NIF62514T1G
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NIF62514T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:自我保护FET的温度和电流限制 Self−protected FET with Temperature and Current Limit
PDF文件:NIF62514T1G 数据手册 (4 页)
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焊盘图
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NIF62514T1G 数据手册 (4 页)
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NIF62514T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)40.0 V
额定电流6.00 A
封装TO-261-4
输出接口数1 Output
漏源极电阻0.09 Ω
极性N-Channel
功耗1.1 W
阈值电压1.7 V
漏源极电压(Vds)40 V
漏源击穿电压40.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
输出电流(Max)6 A
工作温度(Max)150 ℃
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NIF62514T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NIF62514T1G 数据手册

NIF62514T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.04 MByte
NIF62514T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.21 MByte
NIF62514T1G 产品描述及参数
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6 页 / 0.13 MByte

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