类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | PG-TSDSON-8 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
阈值电压 | 2.2 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 22A |
上升时间 | 6.8 ns |
输入电容值(Ciss) | 2850pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 50 W |
下降时间 | 4.8 ns |
耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.3 mm |
宽度 | 3.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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INFINEON BSZ0901NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSZ0901NSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V
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N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET
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