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NIF9N05CLT3
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NIF9N05CLT3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET
PDF文件:NIF9N05CLT3 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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NIF9N05CLT3 数据手册 (6 页)
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NIF9N05CLT3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)52.0 V
额定电流2.60 A
封装TO-261-4
漏源极电阻107 mΩ
极性N-Channel
功耗1.69 W
漏源极电压(Vds)52 V
漏源击穿电压52.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)2.60 A
上升时间1.42 µs
输入电容值(Ciss)250pF @35V(Vds)
额定功率(Max)1.69 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.69W (Ta)
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NIF9N05CLT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.57 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NIF9N05CLT3 数据手册

NIF9N05CLT3 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
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26 页 / 0.08 MByte

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