NJW3281G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	TO-3-3
描述:	NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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NJW3281G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-3-3
针脚数	3 Position
极性	NPN
功耗	200 W
增益频宽积	30 MHz
击穿电压(集电极-发射极)	250 V
集电极最大允许电流	15A
最小电流放大倍数	75 @3A, 5V
最大电流放大倍数	75
额定功率(Max)	200 W
直流电流增益(hFE)	45
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	200000 mW

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NJW3281G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	15.8 mm
宽度	5 mm
高度	20.1 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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NJW3281G 符合标准

NJW3281G 海关信息

NJW3281G 概述

NJW3281G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

NJW3281G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.29 MByte

NJW3281G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.04 MByte

NJW3281G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.1 MByte

NJW3281 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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