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NSS12200LT1G
来自 AiPCBA

NSS12200LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:12 V ， 4.0 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
PDF文件:NSS12200LT1G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
典型应用电路图在1 页
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焊盘图
引脚图
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NSS12200LT1G 数据手册 (5 页)
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NSS12200LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性PNP
功耗710 mW
输入电容350 pF
上升时间120 ns
击穿电压(集电极-发射极)12 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数250 @500mA, 2V
额定功率(Max)460 mW
直流电流增益(hFE)300
下降时间130 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)540 mW
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NSS12200LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NSS12200LT1G 数据手册

NSS12200LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.12 MByte
NSS12200LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
20 页 / 0.17 MByte
NSS12200LT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.12 MByte
NSS12200LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.31 MByte

NSS12200LT1 数据手册

NSS12200LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
12 V ， 4.0 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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