NSS30201MR6T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23-6
描述:	PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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NSS30201MR6T1G 数据手册 (20 页)

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NSS30201MR6T1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	300 MHz
引脚数	6 Pin
额定电压(DC)	30.0 V
额定电流	2.00 A
封装	SOT-23-6
无卤素状态	Halogen Free
极性	NPN
功耗	1.18 W
击穿电压(集电极-发射极)	30 V
集电极最大允许电流	2A
最小电流放大倍数	300 @500mA, 5V
最大电流放大倍数	900
额定功率(Max)	535 mW
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1.75 W

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NSS30201MR6T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	3.1 mm
宽度	1.7 mm
高度	1 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量	3000

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NSS30201MR6T1G 符合标准

NSS30201MR6T1G 海关信息

NSS30201MR6T1G 概述

NSS30201MR6T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

20 页 / 1.45 MByte

NSS30201MR6T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

NSS30201MR6T1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

NSS30201MR6T1 数据手册

NSS30201MR6T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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