| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-963 |
| 极性 | Dual NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NST3904F3T5G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 200 MHz, 347 mW, 200 mA, 30 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NST3904DXV6T1G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 357 mW, 200 mA, 30 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NST3904DP6T5G 双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963
ON Semiconductor（安森美）
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
ON Semiconductor（安森美）
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
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