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NST3904DP6T5G
来自 AiPCBA

NST3904DP6T5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-963-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NST3904DP6T5G  双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963
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NST3904DP6T5G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率200 MHz
引脚数6 Pin
封装SOT-963-6
额定功率0.35 W
针脚数6 Position
极性NPN
功耗420 mW
增益频宽积200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)40 V
集电极最大允许电流0.2A
最小电流放大倍数100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数40 @0.1mA, 1V
额定功率(Max)350 mW
直流电流增益(hFE)100
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)420 mW
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NST3904DP6T5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1 mm
宽度0.8 mm
高度0.37 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NST3904DP6T5G 数据手册

NST3904DP6T5G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.19 MByte
NST3904DP6T5G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.16 MByte
NST3904DP6T5G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.11 MByte

NST3904DP6T5 数据手册

NST3904DP6T5G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NST3904DP6T5G  双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963
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