类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0064 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 179 W |
阈值电压 | 2.7 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 100A |
上升时间 | 7.2 ns |
输入电容值(Ciss) | 3870pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 214 W |
下降时间 | 4.1 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 214W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 16.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
这款 100V,6.4mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
●要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.7ºC/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
● 超低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩级
● 无铅端子镀层
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
● 晶体管 (TO)-220 塑料封装
●## 应用范围
● 次级侧同步整流器
● 热插拔电信应用
● 电机控制
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3
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TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
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