| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 238 mA |
| 封装 | SC-75-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±10.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 238 mA |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 20pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.65 mm |
| 宽度 | 0.9 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 20 V 238 mA时，单N通道，门ESD保护， SC- 75 Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75
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N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
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