| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -25.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 120 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.5 A |
| 上升时间 | 72 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1680pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 120 W |
| 下降时间 | 190 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 120 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor
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功率MOSFET -60 V， -27.5 A， P沟道D2PAK Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
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