类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 68 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 71 W |
阈值电压 | 2.2 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 19.0 A |
上升时间 | 16 ns |
输入电容值(Ciss) | 1000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 71 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 71W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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ON SEMICONDUCTOR NTD6416ANLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 100 V, 68 mohm, 10 V, 2.2 V
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