| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.5 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 120 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 88 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 1.19 nF |
| 栅电荷 | 22.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.5 A |
| 上升时间 | 122 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1190pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 75 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 88W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 800 |
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTB5605PT4G MOSFET Transistor, P Channel, -18.5 A, -60 V, 0.12 ohm, -5 V, -1.5 V 新
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -60伏， -18.5放大器 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -60伏， -18.5放大器 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
