| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -15.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.143 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 65 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15.5 A |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1190pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 65 W |
| 下降时间 | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
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