| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 15.6 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.074 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15.6 A |
| 上升时间 | 410 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 870pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 140 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.1 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10LTM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD19N10TM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET
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