| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -25.0 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 漏源极电阻 | 51.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 75 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25.0 A |
| 上升时间 | 37.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1260pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 75 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LT4G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAK
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功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt
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