| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -25.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 51.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 75.0 W |
| 输入电容 | 1.26 nF |
| 栅电荷 | 20.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
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ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LT4G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAK
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功率MOSFET -25安培，伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt
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