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NTD32N06T4G
来自 AiPCBA

NTD32N06T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:32A,60V功率MOSFET
PDF文件:NTD32N06T4G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTD32N06T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流32.0 A
封装TO-252-3
漏源极电阻26.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)32.0 A
上升时间84 ns
输入电容值(Ciss)1725pF @25V(Vds)
下降时间93 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.5 W
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NTD32N06T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD32N06T4G 数据手册

NTD32N06T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.07 MByte
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