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NTD32N06-1G
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NTD32N06-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
PDF文件:NTD32N06-1G 数据手册 (9 页)
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NTD32N06-1G 数据手册 (9 页)
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NTD32N06-1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)60.0 V
额定电流32.0 A
封装TO-251-3
漏源极电阻26.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.5 W
输入电容1.72 nF
栅电荷60.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)32.0 A
输入电容值(Ciss)1725pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
耗散功率(Max)1.5 W
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NTD32N06-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD32N06-1G 数据手册

NTD32N06-1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.07 MByte
NTD32N06-1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.05 MByte

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32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK
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