| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | SMD-8 |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.1 W |
| 输入电容 | 300 pF |
| 栅电荷 | 6.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A, -2.20 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| P沟道 P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -2.2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 155mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.2A 耗散功率PdPower Dissipation| -0.6~-1.2V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V
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