| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -8.00 V |
| 额定电流 | -5.40 A |
| 封装(公制) | 3216 |
| 封装 | SMD-8 |
| 漏源极电阻 | 34.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.3W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 8 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.50 A |
| 上升时间 | 28 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2400pF @6.4V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 60 ns |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.2 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.019Ω @-5.4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| Features • Low Profile (<1.1 mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics • Designed to Provide Low RDS(on) at Gate Voltage as Low as 1.8 V, the Operating Voltage used in many Logic ICs in Portable Electronics • Simplifies Circuit Design since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required • Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •薄型（<1.1毫米）允许它能够轻松融入极薄 环境，如便携式电子产品 •专为提供低RDS（ON） 低栅极电压为1.8 V， 用于便携式电子产品在许多逻辑IC的工作电压 •简化电路设计，因为其他的门电路升压 电压不 •工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来 迁移到下级使用相同的基本拓扑结构 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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-8.0 V， -7.5 P沟道ChipFET −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET
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