| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.0256 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 136 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 42.0 A |
| 上升时间 | 84 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 136 W |
| 下降时间 | 71 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 136W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.28 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTP6413ANG 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V 42A TO-220
ON Semiconductor（安森美）
N沟道功率MOSFET的100 V， 42 A， 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
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