| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-457 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 600 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 600mW/0.6W Description & Applications| PNP transistor FEATURES • High current capabilities • Low VCEsat • NPN complement: PBSS4350D. APPLICATIONS • Heavy duty battery powered equipment (Automotive,Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers. • VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications • All battery driven equipment to save battery power 描述与应用| PNP晶体管 特点 •高电流能力 •低VCESAT •NPN补充：PBSS4350D。 应用 •重载电池供电设备（汽车，电信和音频/视频），如电机和灯驱动器。 VCE监测的关键应用，如最新的低电源 电压IC应用 •所有电池驱动的设备，以节省电池电量
NXP（恩智浦）
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PBSS5350X 系列 50 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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Nexperia PBSS5350T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
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PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
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NXP PBSS5350Z 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
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