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NTP8G202NG
来自 AiPCBA

NTP8G202NG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTP8G202NG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.29 ohm, 8 V, 2.1 V
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NTP8G202NG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.29 Ω
极性N-Channel
功耗65 W
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间4.5 ns
输入电容值(Ciss)760pF @400V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)65W (Tc)
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NTP8G202NG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.53 mm
宽度4.83 mm
高度15.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTP8G202NG 数据手册

NTP8G202NG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTP8G202NG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.29 ohm, 8 V, 2.1 V
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