| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WDFN-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.023 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 900 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
| 上升时间 | 26 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 469pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.1 mm |
| 宽度 | 2.1 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 NexFET™ 双 MOSFET，Texas Instruments
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD85301Q2T 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV
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