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STGP10NC60K
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STGP10NC60K 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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STGP10NC60K 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流20.0 A
封装TO-220-3
功耗60000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)60 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60000 mW
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STGP10NC60K 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGP10NC60K 数据手册

STGP10NC60K 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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