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NTR1P02T1G
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NTR1P02T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02T1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V
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NTR1P02T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-1.00 A
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.148 Ω
极性P-Channel
功耗400 mW
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)20 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.00 A, 1.00 mA
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)165pF @5V(Vds)
额定功率(Max)400 mW
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400 mW
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NTR1P02T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTR1P02T1G 数据手册

NTR1P02T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
NTR1P02T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.84 MByte
NTR1P02T1G 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.08 MByte
NTR1P02T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.31 MByte
NTR1P02T1G 其他参考文件
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte

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