| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -8.00 V |
| 额定电流 | -1.40 A |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 290 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 8 V |
| 漏源击穿电压 | 8 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.40 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @8V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 290 mW |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 290mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.24 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET，8V，ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
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