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NTR4003NT1G
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NTR4003NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTR4003NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 560 mA, 30 V, 1.5 ohm, 4 V, 1.4 V
PDF文件:NTR4003NT1G 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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NTR4003NT1G 数据手册 (9 页)
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NTR4003NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.5 Ω
极性N-Channel
功耗830 mW
阈值电压1.4 V
输入电容21 pF
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)560 mA
上升时间47.9 ns
输入电容值(Ciss)21pF @5V(Vds)
额定功率(Max)690 mW
下降时间64.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)690mW (Ta)
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NTR4003NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTR4003NT1G 数据手册

NTR4003NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.24 MByte
NTR4003NT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
NTR4003NT1G 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
NTR4003NT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.6 MByte

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