| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 3.20 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 85.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 输入电容 | 200 pF |
| 栅电荷 | 6.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.20 A |
| 输入电容值(Ciss) | 200pF @10V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 1.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.08Ω/Ohm @3.6A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.65-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23 • Load/Power Switch for Portables • Load/Power Switch for Computing • DC−DC Conversion 描述与应用| 功率MOSFET 3.2 V，20 A单N沟道，SOT-23 •用于便携式设备的负载/功率开关 •计算负载/功率开关 •DC-DC转换
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTR4501NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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功率MOSFET的20 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
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