NTS2101P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
封装:	SOT-323-3
描述:	功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70
PDF文件:	NTS2101P 数据手册 (5 页)
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NTS2101P 技术参数、封装参数

类型	描述
最小包装数量	3000

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

ON Semiconductor（安森美）

NTS2101 P沟道MOS场效应管 -8V -1.4mA 0.065ohm SOT-323 marking/标记 TS 低导通电阻 1.8V低栅极驱动

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

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