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NVMFD5C466NLT1G
来自 AiPCBA

NVMFD5C466NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:DFN-8
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 52 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.2 V
PDF文件:NVMFD5C466NLT1G 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NVMFD5C466NLT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装DFN-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0062 Ω
功耗3 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)40 V
上升时间67 ns
输入电容值(Ciss)997pF @25V(Vds)
下降时间60 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3000 mW
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NVMFD5C466NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NVMFD5C466NLT1G 数据手册

NVMFD5C466NLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.19 MByte
NVMFD5C466NLT1G 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
NVMFD5C466NLT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.05 MByte

NVMFD5C466NLT1 数据手册

NVMFD5C466NLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 52 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.2 V
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