| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 340 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.25A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.064Ω @-3A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 描述与应用| P沟道60-V（D-S）的MOSFET
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P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V
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