| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | DFN |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0042 Ω |
| 功耗 | 3.2 W |
| 阈值电压 | 2.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 96 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1935pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 105 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 60 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V
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