类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-323 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2.8 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 260 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.83 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
长度 | 2.2 mm |
宽度 | 1.35 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.85 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.85 MByte
Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET NX3008NBK,215, 400 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBK,215, 230 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET NX3008NBKS,115, 350 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET NX3008PBKS,115, 200 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 350 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW,115, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 400 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET NX3008CBKV,115, 220 mA,400 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-666封装
NXP(恩智浦)
NX3008CBKV - 30 / 30 V,400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET
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