类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 6.2 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 1.33 W |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.19A |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 17pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 265 mW |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 265mW (Ta), 1.33W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.25 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
N-沟道 60 V 4.5 Ohm 265 mW 0.33 nC 表面贴装 Mosfet - SOT-23
Nexperia(安世)
双 N-沟道 60 V 4.5 Ohm 0.43 nC 表面贴装 Trench Mosfet - TSSOP-6
NXP(恩智浦)
NXP NX7002AK 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, 双N沟道, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件