PBSS5520X 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:	NXP（恩智浦）
分类:	晶体管
封装:	SOT-89
描述:	PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
PDF文件:	PBSS5520X 数据手册 (13 页)引脚图在2 页Hot 封装尺寸在11 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

PBSS5520X 数据手册 (13 页)

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PBSS5520X 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-89
极性	PNP
功耗	550 mW
击穿电压(集电极-发射极)	20 V
集电极最大允许电流	5A
最小电流放大倍数	250
直流电流增益(hFE)	430
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	2.5 W

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PBSS5520X 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Cut Tape (CT)
长度	4.6 mm
宽度	2.6 mm
高度	1.6 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃

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PBSS5520X 符合标准

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