类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 5 Pin |
电容 | 15 pF |
封装 | SOT-553-5 |
无卤素状态 | Halogen Free |
击穿电压 | 6.1 V |
通道数 | 4 Channel |
功耗 | 20 W |
钳位电压 | 13 V |
脉冲峰值功率 | 20 W |
最小反向击穿电压 | 6.47 V |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 380 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
高度 | 0.55 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 4.3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.8V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 20W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 1.6A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.38W/380mW Description & Applications| Features • Transient Voltage Suppressors ESD Protection Diode with Low Clamping Voltage • Small SOT−553 SMT Package • Stand Off Voltage: 3 V • Low Leakage Current • Four Separate Unidirectional Configurations for Protection • ESD Protection: IEC61000−4−2: Level 4 ESD Protection MILSTD 883C − Method 3015−6: Class 3 • Complies to USB 1.1 Low Speed & Full Speed Specifications • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特性 •瞬态电压抑制器 低钳位ESD保护二极管电压 •采用小型SOT-553表面封装 •关断电压:3 V •低漏电流 •四个单独的单向配置保护 •ESD保护:IEC61000-4-24级ESD保护 MIL-STD883C - 方法3015-6:3级 •符合USB1.1低速和全速规格 •这些都是无铅设备
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
瞬态电压抑制器ESD保护二极管钳位电压低 Transient Voltage Suppressors ESD Protection Diode with Low Clamping Voltage
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件