类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.3 W |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 300 mW |
增益频宽积 | 30 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
最小电流放大倍数 | 50 @500mA, 10V |
额定功率(Max) | 300 mW |
直流电流增益(hFE) | 250 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 150 V 1 A 30MHz 300 mW 表面贴装型 TO-236AB
Nexperia(安世)
13 页 / 0.22 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115Z 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
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