| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 50 @500mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 100 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.11 MByte
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115Z 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
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