| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 730 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @1A, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 240 |
| 额定功率(Max) | 1.45 W |
| 直流电流增益(hFE) | 240 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1450 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.15 MByte
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
NXP PBHV8215Z,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8215Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 33 MHz, 730 mW, 2 A, 240 hFE
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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