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PBHV8215Z115
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PBHV8215Z115 数据手册 (12 页)
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PBHV8215Z115 技术参数、封装参数

PBHV8215Z115 数据手册

NXP(恩智浦)
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PBHV8215 数据手册

Nexperia(安世)
NXP PBHV8215Z,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8215Z,115  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 33 MHz, 730 mW, 2 A, 240 hFE
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
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