| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 额定功率 | 0.6 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 2100 mW |
| 增益频宽积 | 130 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 250 @2A, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 300 @0.5A, 2V |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 直流电流增益(hFE) | 75 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
17 页 / 0.31 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
NXP PBSS304NX,115 , NPN 晶体管, 4.7 A, Vce=60 V, HFE:75, 130 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS304PX,115 , PNP 晶体管, 4.2 A, Vce=60 V, HFE:60, 130 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS304PZ,135 , PNP 晶体管, 4.5 A, Vce=60 V, HFE:200, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 2 W, 5.2 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS304PX,115 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 130 MHz, 600 mW, -4.2 A, 295 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS304NX,115 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 600 mW, 4.7 A, 75 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS304NZ 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 2 W, 5.2 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
PBSS304NZ 系列 60 V 5.2 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-223-3
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 3A SC-74
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