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PBSS4120T
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PBSS4120T 数据手册 (7 页)
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PBSS4120T 技术参数、封装参数

PBSS4120T 外形尺寸、物理参数、其它

PBSS4120T 数据手册

NXP(恩智浦)
7 页 / 0.23 MByte
NXP(恩智浦)
8 页 / 0.44 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte

PBSS4120 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4120T  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFE
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
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