| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 200 |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.35 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 2A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 150MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 300~900 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500MV 耗散功率Pc Power dissipation | 250MW 描述与应用 Description & Applications | 低饱和电压 高电流的能力。
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4140T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
PBSS4140DPN 系列 40 V 1 A 表面贴装 低 VCEsat NPN / PNP 晶体管 - SC-74-6
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4140DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 370 mW, 1 A, 300 hFE, SOT-457
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4140T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 mW, 1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4140U 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
低饱和电压 NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS4140DPN/SC-74/REEL 13" Q1/
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