| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 220 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SC-74-6 |
| 额定功率 | 0.56 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 功耗 | 700 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 200 @500mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 420 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 500 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4160T,215 , NPN 晶体管, 900 mA, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4160T,215 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz，220 (NPN) MHz, 6引脚
Nexperia（安世）
NXP PBSS4160DS,115, 双 NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 6引脚 TSOP封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4160DPN,115 双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, PNP, 60 V, 175 MHz, 2 W, 1 A, 70 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 510 mW, 1 A, 70 hFE, SOT-1118
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