类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 270 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 0.9A |
最小电流放大倍数 | 200 @500mA, 5V |
额定功率(Max) | 400 mW |
直流电流增益(hFE) | 400 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 1250 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
10 页 / 0.33 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160T,215 , NPN 晶体管, 900 mA, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4160T,215 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz,220 (NPN) MHz, 6引脚
Nexperia(安世)
NXP PBSS4160DS,115, 双 NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 6引脚 TSOP封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4160DPN,115 双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, PNP, 60 V, 175 MHz, 2 W, 1 A, 70 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 510 mW, 1 A, 70 hFE, SOT-1118
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