类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223 |
针脚数 | 4 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 1.35 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
最小电流放大倍数 | 200 |
直流电流增益(hFE) | 200 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4350Z,135 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350X,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
三极管(晶体管) PBSS4350X,135 S43 SOT-89
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4350Z 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4350D,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装
NXP(恩智浦)
PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低VCEsat (BISS) 晶体管 - SOIC-8
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